В 2025 году лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники Института квантовых технологий МФТИ отчиталась об успешном испытании промышленных прототипов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрического оксида гафния. Это большое достижение для российской микроэлектроники.
пленки оксида гафния
-
-
Горизонты наукиНаукаТехнологии
Разбуди флешку: новейшие устройства памяти на сегнетоэлектриках работают только после «пробуждения»
Автор Пресс-служба МФТИАвтор Пресс-служба МФТИУченые МФТИ впервые обнаружили и объяснили причину «пробуждения» сегнетоэлектрических пленок оксида гафния.