транзистор

Международная команда физиков из МФТИ и университетов Израиля, Сингапура, США и Японии впервые получила прямое изображение электростатического потенциала на муаровом интерфейсе между графеном и гексагональным нитридом бора.

Микроэлектроника по-прежнему делится на две основные составляющие: логику и память. Главный элемент для всех них — кремниевый транзистор металл-диэлектрик-полупроводник. Мы почти полвека просто уменьшали его размеры, а потом уперлись в физические пределы возможностей кремния. Графен открыл дорогу всему классу двумерных материалов. В центре внимания прямо сейчас дихалькогениды переходных металлов.

Три года назад 22-летний Сэм Зелуф в гараже родительского дома создал микросхему, состоящую из 1200 транзисторов. Он повторил научно-техническое достижение конца 1960-х годов. Основные принципы фотолитографического процесса за полвека практически не изменились, только проектные нормы уменьшились на четыре порядка. И это масштабирование обошлось во всех смыслах дорогой ценой.

Рассказываем как из нескольких превосходных идей и ряда ключевых изобретений возникла Кремниевая долина — и за полвека создала мир, который существует постольку, поскольку миллиарды миллиардов крошечных транзисторов на кремниевых платах совершают свою работу на околосветовых скоростях.

Самая популярная формулировка закона Мура выглядит так: «Количество транзисторов на чипе удваивается каждые 18 месяцев». Но при этом закон Мура — не закон и не Мура. О том, что в прогнозе Говарда Мура осталось законного, рассуждает Юрий Аммосов.

Корреспондент журнала «За науку» побеседовал с президентом РАН Геннадием Красниковым о прошлом, настоящем и будущем микроэлектроники в России. Геннадий Яковлевич возглавляет кафедру микро- и наноэлектроники в МФТИ, больше 40 лет проработал в НИИ молекулярной электроники и на заводе «Микрон», пройдя путь от инженера до директора и научного руководителя.

В 2025 году лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники Института квантовых технологий МФТИ отчиталась об успешном испытании промышленных прототипов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрического оксида гафния. Это большое достижение для российской микроэлектроники.

Коллектив лаборатории перспективных концепций хранения данных Института квантовых технологий МФТИ совместно с АО «НИИМЭ» успешно завершил ключевой этап разработки и изготовления макетов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрических полевых транзисторов (FeFET) с архитектурой 1Т-1С. Работа была выполнена в рамках проекта молодежной лаборатории МФТИ в области микроэлектроники.

Технология пригодится, в первую очередь, для развития персонализированной медицины, где требуется быстро и точно анализировать сложные биологические данные.

Ученые создали материалы на основе сложного оксида индия, галлия и цинка.