сканирующая электронная микроскопия

В ходе сканирования поверхности с помощью квантового вихря можно визуализировать несовершенства структуры в толще материала, получив разрешение на порядок выше возможностей классической магнитной силовой микроскопии. Способность метода находить неразличимые дефекты задает новые стандарты в контроле качества сверхпроводников и сверхпроводящих приборов.

Ученые разработали новый метод сканирующей микроскопии, который позволяет с нанометровым разрешением визуализировать распределение пиннингового потенциала в сверхпроводящих пленках.

Коллаборации биологов и физиков удалось разработать новый подход на основе метода ГКР для изучения цитохрома С в митохондриях.