оксид гафния

В 2025 году лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники Института квантовых технологий МФТИ отчиталась об успешном испытании промышленных прототипов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрического оксида гафния. Это большое достижение для российской микроэлектроники.

Физики из МФТИ впервые определили направление вектора поляризации в пленках оксида гафния и измерили, как меняются размеры пленки при приложении электрического поля.

Ученые МФТИ показали, что пленки оксида гафния нестандартной геометрии ведут себя как хороший пьезоэлектрик.

На Физтехе научная деятельность никогда не останавливается. Рассказываем вам о достигнутом за последние две недели.

Прорыв на пути к созданию новых типов энергонезависимых ячеек памяти совершила группа исследователей из МФТИ.

Ученые представили мемристор второго рода на базе оксида гафния.

Ученые «ощупали» материал для памяти будущего.