Созданные фоторезисторы продемонстрировали отчетливый фотоотклик при облучении лазером с длиной волны 405 нанометров, что открывает перспективы для производства гибкой электроники, оптических сенсоров и элементов «умных» дисплеев.
Созданные фоторезисторы продемонстрировали отчетливый фотоотклик при облучении лазером с длиной волны 405 нанометров, что открывает перспективы для производства гибкой электроники, оптических сенсоров и элементов «умных» дисплеев.