сегнетоэлектрик

Это поможет создать компактные устройства памяти, которые не теряют данные при отключении, выдерживают миллиарды циклов перезаписи и потребляют минимум энергии.

Физики из МФТИ впервые определили направление вектора поляризации в пленках оксида гафния и измерили, как меняются размеры пленки при приложении электрического поля.

Тонкие пленки с настроенными диэлектрическими параметрами можно применять в микроволновых устройствах, накопителях электроэнергии и блоках памяти компьютеров.

Ученые разработали новый метод создания ультратонких пленок с исключительными свойствами.

Толщиной всего 30 микрометров, она выдерживает 150 000 циклов сгиба и нагрузку растяжения в полтора килограмма, не теряя своих сегнетоэлектрических свойств, и может быть применена для создания гибкой медицинской электроники.

Ученые представили мемристор второго рода на базе оксида гафния.