топологические изоляторы

Коллектив физиков из МФТИ и МГУ в составе международной команды обнаружил, что на поверхности слоистых топологических изоляторов GeBi₄Te₇ и MnBi₄Te₇ возникает встроенное электрическое поле — следствие перераспределения заряда между разными слоями кристалла из-за атомных дефектов.

Методика позволяет получать кристаллы размером в несколько сантиметров с повышенной чистотой и стабильностью.

Им удалось создать новый гибридный материал, который обладает уникальными электронными и магнитными свойствами.

Полученные результаты ускорят разработку фотонных устройств на его основе и раскрывают его потенциал для создания высокоэффективных оптических устройств.

В ходе масштабного исследования ученые смогли управлять топологическими свойствами материалов путем изменения их состава.