антиферромагнетик

Ученые из Института квантовых технологий МФТИ и Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН с коллегами теоретически исследовали взаимодействие резонансных мод между двумя магнитными слоями гетероструктуры. Результаты этого исследования важны для развития спинтроники и магноники.

Они разработали и детально исследовали новый метод прецизионного управления магнитными свойствами тонкопленочных структур, имеющих решающее значение для современных технологий магнитной записи, сенсоров и перспективных устройств спинтроники.

Они изучили влияние инерции на частоты антиферромагнитного резонанса и нутационного резонанса.

Они исследовали магнитоупругие свойства антиферромагнетиков.

Российские ученые обнаружили новый электрооптический эффект — электрическое переключение частоты лазерного луча, отраженного от поверхности металлической пленки.

Ученые нашли способ применить антиферромагнитные изоляторы для создания спинового вентиля — элемента, применяемого в микроэлектронике и спинтронике.